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Grundsätzlich sollte man Oszillatoren nie unterbrechen, und das gilt insbesondere bei Leistungsschaltungen.
In Abb.1 verhindert die Diode D6 mit C2 das sofortige Zusammenbrechen der Betriebsspannung des Generators bei kurzzeitigen
hohen Ausgangsströmen (z.B. sekundärseitigem Funkenüberschlag oder Kurzschluß).
Mit dem Potentiometer P1 kann die Frequenz (ca. 20kHz) und mit P2 die Impulsbreite unabhängig voneinander
eingestellt werden. Sie ermöglichen damit eine Anpassung der Schaltung an verschiedene Transformatoren. Ihr rechter
Anschlag ist hier mit r gekennzeichnet. Bei steilen Flanken (höhere Frequenzen) macht sich die Eingangskapazität
des MOSFET schnell bemerkbar (je nach Typ etwa 1n) und leistungsstarke Treiberstufen werden erforderlich (siehe unten).
Ausschlaggebend für die Amplitude -und damit die Aussteuerung des verwendeten Transformators- ist hier die
Betriebsspannung +U. Die Schaltung eignet sich daher eher für einfache und einigermaßen konstante Belastungen
wie sie etwa bei der Hochspannungserzeugung für Oszilloskopenröhren benötigt werden. In einigen Fällen kann der Varistor
(VDR = Voltage Dependent Resistor) auch weggelassen werden, wenn die Drain-Spannungsspitzen deutlich
unterhalb der kritischen Zerstörungswerte des MOSFET liegen. Dabei sollte man beachten, daß
die am Oszilloskopen sichtbaren Spannungsspitzen meist in keinster Weise den realen Kurven entsprechen, da
die Leitungskapazitäten und -induktivitäten der Messkabel, sowie die Grenzfrequenz
des Oszilloskopen eine deutliche Dämpfung des Signals hervorrufen. Meist liegen die tatsächlichen Höchstwerte weit
über den gemessenen. Eine wichtige Maßnahme zum Absenken der gefährlichen Impulse bildet
vor allem der zu Source und Drain parallel liegende Kondensator (in diesem Beispiel 1n 1000V).
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Auch ist ein Varistor nicht die beste Lösung, da er meist nicht in der Lage ist, die oft sehr hohen
Frequenzanteile zu verarbeiten. Wird anstelle des VDR eine Freilaufdiode (vorzugsweise schnelle
Schottky-Diode) antiparallel geschaltet, dann unterdrückt diese zwar die hohen Spannungsspitzen am MOSFET,
bildet deswegen aber auch eine zusätzliche Belastung (Kurzschluß). Um den dadurch erhöhten
Verlust gering zu halten, kann ihr ein entsprechender Leistungswiderstand vorgeschaltet werden.
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Da die Schaltung bereits für höhere Leistungen ausgelegt ist, sollte man vorsichtshalber
alle Einstellungen zunächst am Oszilloskop überprüfen, bevor man einen Übertrager erstmals anschließt.
Die Schaltfrequenz liegt etwa zwischen 15kHz und 30kHz, und je nach benötigten Spannungen eignen sich als Übertrager
sowohl Ferritkerntransformatoren aus Computer-, Bildschirm- oder Fernsehnetzteilen, wie auch Zeilentransformatoren mit
integrierter Kaskade.
Sollte keine geeignete Primärwicklung vorhanden sein, so kann man meist eine solche nachträglich am Ferritkern
anbringen, da sie bei den recht hohen Frequenzen nur wenige Windungen benötigt (etwa 4 bis 10, mit starkem
Kupferdraht).
Mit handelsüblichen Zeilentransformatoren und integrierter Kaskade erzeugt man bei etwa 500mA Stromaufnahme bereits
20kV bis 30kV. Wählt man C1 größer (tiefere Frequenzen und breitere Impulse), dann können mit
dieser Anordnung auch KFZ-Zündspulen angesteuert werden.
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Generator mit getrennten Netzteilen:
In Abb.2 werden Vorstufe und Endstufe mit zwei getrennten Spannungsquellen betrieben. Auch hier verhindert die
Diode D6 wieder die Entladung des Kondensators C2 bei eventueller Überlastung der Endstufe, so daß der
Oszillator weiterarbeiten kann. Die Amplitude der Ausgangsimpulse läßt sich gesondert mit dem Spannungsregler (LM350)
einstellen und hat daher keinen Einfluß auf den Oszillatorteil. Je nach Übertrager und
Ausgangsschaltung vermag P3 auf diese Weise die Ausgangsspannung zwischen etwa 0V und 30kV zu verändern.
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Leistungssteigerung mit Parallelschaltung:
Im Gegensatz zu bipolaren Transistoren haben Power-MOSFET die Eigenschaft, bei höheren Temperaturen
hochohmiger zu werden. Dadurch können bei größerem Leistungsbedarf mehrere Transistoren nach
Abb.3 einfach parallelgeschaltet werden. Steigt die Temperatur in einem der vorhandenen Transistoren, dann reduziert sich
automatisch die auf ihn anfallende Leistung und verteilt sich auf die anderen.
Gegenüber Bipolar-Transistoren benötigen die als Schalter betriebenen Power-MOSFET einerseits weitaus höhere
Steuerspannungsunterschiede (je nach Typ etwa 0V bis 10V), und bei den notwendigen hohen Schaltgeschwindigkeiten sind
auch die relativ großen Gate-Kapazitäten nicht mehr vernachlässigbar.
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So können die schnellen Steuerströme durchaus beachtliche 1A übersteigen und eine leistungsstarke Treiberstufe
erfordern. Da sowohl steigende (Gate-Ladung) wie auch fallende Flanken (Gate-Entladung) diese hohen
Ströme aufbringen müssen, wird oft eine Gegentaktstufe nach Abb.4 verwendet. Desweiteren sind MOSFETs auch sehr
empfindlich gegenüber zu hohe oder zu niedrige Gate-Spannungen, und es sollte in jedem Fall eine Zenerdiode
vorgeschaltet werden, auch wenn die Treiberspannungen deutlich innerhalb der kritischen Gategrenzen liegen. Die bei
Funkenüberschlägen oder Kurzschlüssen zeitweise auftretenden chaotischen Zustände der Schaltung können durchaus zerstörerische
Über- oder Unterspannungen hervorrufen. Auch wenn kleinere innere Schäden nicht unbedingt das sofortige Aus der
MOSFETs bedeuten, so führen sie jedoch meist längerfristig zu Veränderungen, die schließlich doch die Endstufe
zerstören.
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Hohe Spannungsspitzen entstehen beim Sperren des Transistors. Je nach Polung der Ausgangsdiode -bzw.
der Polung einer Transformatorwicklung- werden diese gleichgerichtet (Sperrwandler). Hingegen sind die beim
Durchsteuern (Durchfluß) des Transistors erzeugte Spannungsspitzen niedriger, erlaubt jedoch höhere
Ströme (Durchflußwandler). Will man also höchste Spannungen erzeugen, dann macht eine aufwendige
Gegentaktstufe wenig Sinn, da sie ständig als Durchflußwandler arbeitet und somit keine Sperrspitzen liefert.
Oszillatoren mit dem 555
Als Oszillator wird auch häufig der Timer-Baustein NE555 verwendet. Bei der üblichen Beschaltung sind dessen
Impulse jedoch invertiert und müssen daher zunächst einem invertierenden Treiber zugeführt, bzw. die Endstufe mit einem
Komplementär-MOSFET realisiert werden. Übrigens findet man die 555-Schaltung gelegentlich ohne zusätzliche
Invertierstufe, was allerdings zu einer überhöhten Leistungsaufnahme führt, da die Impulse den
Transistoren kurzzeitig sperren, anstatt ihn kurzzeitig durchzusteuern.
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